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Lanying Lin
miembru de l'Asamblea Popular Nacional
Member of the Standing Committee of the National People's Congress (en)
Vida
Nacimientu	Putian, 7 de febreru de 1918
Nacionalidá	República Popular China
Muerte	4 de marzu de 2003 (85 años)
Estudios
Estudios	Universidá de Pennsylvania ; Universidá de Chicago ; Dickinson College
Llingües falaes	chinu
Oficiu
Oficiu	política, física
Premios	ver Academician of the Chinese Academy of Sciences (1980) ;
Miembru de	Academic Division of Technological Sciences of the Chinese Academy of Sciences (en)

Lanying Lin (treslliteración 林兰英))(7 de febreru de 1918, Putian – 4 de marzu de 2003), foi una científica china nel campu de la inxeniería de materiales.^[1]^[2]^[3]^[4] Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Ye considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació nuna familia prestixosa, fondamente influyida pola creencia de que la muyer nun precisaba una educación. Por ello, nun asistió a la escuela primaria. Pero ella lluchó contra la so familia por un cambéu y consiguió la posibilidá d'empecipiar una educación formal. Graduar pola Universidá cristiana de Fujian, con un grau de B.A. en Física.^[5] A los trenta años, asistió a la Dickinson University y ganó otru grau en matemátiques. En 1955, recibió'l doctoráu en Física del estáu sólidu pola Universidá de Pennsylvania, convirtiéndose na primer persona china en cien años en ganar el doctoráu nesa universidá. En 1957, tornó a China y foi asignada pa ser investigadora nel Institutu de Física CAS. Depués camudóse al Institutu de Semiconductores CAS y ocupó tola so vida con investigaciones nesa institución.

Opiniones sobre asuntos de xéneru^[2]

Mientres la so vida, encaró munches dificultaes por ser muyer. Dempués de volver d'EEXX, xunir a la Federación de Muyeres de China.^[6] Dio munches conferencies y falaba sobre asuntos de xéneru. Creyó que nel campu de la ciencia, muyeres y homes son iguales.

Atribuciones y honores^[3]

1957: fixo'l primera xermaniu monocristalino (N-estilu y P-estilu) en China, sentando les bases pal desenvolvimientu de la radio a transistores.
1958: fabrica'l antimoniuro de galio monocristalino
1958: payares, fabricáu'l primera siliciu cristalino
1959: fixo'l sulfuru de cadmiu cristalín
1960: fixo los materiales estensos pal siliciu *

1962: fabrica'l primer fornu monocristalino llamáu TDK en China * 1962: fabrica'l primer siliciu monocristalino ensin malposición en China * 1962: produzse'l primera antimoniuro d'indiu monocristalino cola mayor purificación

1962: primer arseniuru de galiu monocristalino
1963: fabrica'l primera láser semiconductor en China *

1963: fabrica siliciu altamente purificado y recibe el segundu premiu de los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía

1964: Diseña'l procesu de faer siliciu con baxa malposición y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
1974: fabrica'l primera arseniuru de galiu monocristalino ensin malposición
1978: recibe'l CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
1981: fabrica'l circuitu integráu y recibe el CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía
1986: realiza'l circuitu integráu SOS-CMOS y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía
1989: investigación sobre l'estensu material GaInAsSb/InP y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
1989: realizó con ésitu l'esperimentu de fundir el arseniuru de galiu en satélites artificiales y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía
1990-1991: recibió'l tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía cuatro vegaes
1991: fixo un satélite con cinco circuitos distintos del circuitu integráu SOS-CMOS
1992: fixo'l fosfuro d'indiu monocristalino
1998: fixo célules solares de arseniuru de galiu licuando los materiales estensos
1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y plantegó la nueva teunoloxía de crecedera en materiales d'alta temperatura

Actividaes polítiques^[3]

1962: vicepresidenta de la Federación Xuvenil de toa China *

1964: avientu, diputada al congresu de la Tercer Asamblea Popular Nacional y miembru permanente de la Comisión del congresu de l'Asamblea Popular Nacional

1975: xineru, diputada al congresu de la Cuarta Asamblea Popular Nacional
1978: febreru, diputada al congresu de l'Asamblea Popular Nacional
1978: hasta setiembre de 1983, miembru de la federación de Muyeres de toa China (ACWF)
1978: miembru del comité del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
1979: xunetu, direutora xestora del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
1980: abril, segunda vicepresidenta de l'Asociación China pa la Ciencia y Teunoloxía (CAST)
1981: mayu, direutora xestora del departamentu de teunoloxía de l'Academia china de Ciencia (CAS)
1982: setiembre, delegada de la Docena Conferencia Nacional del Pueblu celebrada pol Partíu Comunista de China (CCP)
1983: mayu, diputada al congresu de La Sexta Asamblea Popular Nacional
1986: tercer vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
1988: marzu, diputada na Séptima Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
1988: Direutora honoraria del Institutu chinu d'Electrónica (CIE)
1991: cuarta vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST)
1993: marzu, diputada na Octava Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular
1996: Direutora del Llaboratoriu Nacional Clave en microgravedad

Delles publicaciones^[7]

Dislocations Y Bastia en Semi-Galio Aislante Arsenide Reveló por Ultrasónicu Abrahams-Buiocchi Aguafuerte^[8]
Defectos estequiométricos en Semi-Aislantes GaAs Archiváu 2016-03-04 en Wayback Machine^[9]
Interfaz Roughness Espardiendo en GaAs-AlGaAs Modulación-Dopado Heterostructures^[10]
Crecedera de GaAs Cristales Solos en Gravedá Alta^[11]
Meyora de Estequiometría en Semi-Galio Aislante Arsenide Crecíu so Microgravity^[12]
Magnetospectroscopy D'Atáu Phonons en Pureza Alta GaAs^[13]
Influencia de #DX centros nel AlxGa12xAs barrera na densidá de temperatura baxo y movilidá del gas d'electrón bidimensional en GaAs/AlGaAs modulación-dopado heterostructure^[14]
Influencia del semi-aislante GaAs Schottky plataforma nel Schottky barrera na capa activa Archiváu 2016-03-04 en Wayback Machine^[15]
Backgating Y Sensibilidá Llixera en GaAs Metal-Transistores d'Efeutu de Campu de Semiconductor Archiváu 2018-07-19 en Wayback Machine^[16]
Dependencia d'Enerxía del fotón de SW Efeutu en α-Si:H Películes^[17]
Irradiación de neutrón-Métodu de Midida Basáu Infrarroxu pa Interstitial Osíxenu en Fuertemente Boro-Siliciu Dopado^[18]
Propiedaes y Aplicaciones de GaAs el cristal Solu Crecíu so Microgravity Condiciones^[19]
Resultaos preliminares de GaAs Crecedera de Cristal Solu so Condiciones de Gravedá Alta^[20]
Distribuciones espaciales d'Impureces y Defectos en Te-y Si-dopó GaAs Crecíu nuna Redolada de Gravedá Amenorgáu Archiváu 2015-12-08 en Wayback Machine^[21]
Microdefects Y uniformidá llétrica de InP annealed en fósforu y fierro phosphide ambiances^[22]
Formación, estructura y fluorescencia de CdS grupos nun mesoporous zeolita^[23]
Fabrication De novel doble-hetero-epitaxial SOI estructura Si/γ-Al2O3/Si^[24]
Photostimulated Luminiscencia de grupos de plata en zeolita-Y^[25]
Carauterización de defectos y uniformidá d'oblea entera de annealed undoped semi-aislante InP oblees^[26]
Bien embaxo-presión VLP-CVD crecedera calidable alta γ-Al2O3películes enriba siliciu por multi-proceso de camín^[27]
Dalguna observación nueva na formación y propiedaes óptiques de CdS grupos en zeolita-Y^[28]
Absorción spectra de Segrupos de ₈ aniellos en zeolita 5Un^[29]
Crecedera de GaSb y GaAsSb na rexón de fase sola por MOVPE^[30]
Crecedera y propiedaes de pureza alta LPE-GaAs^[31]
Centros de color nuevu y photostimulated luminiscencia de BaFCl:Eu2+[1]^[32]
Channeling Analís de self-enllantáu y recrystallized siliciu enriba zafiru^[33]
Semi-Aislante GaAs crecíu n'espaciu esterior^[34]
Irradiación de neutrón indució photoluminescence de cristal de siliciu crecío n'hidróxenu ambiental^[35]
La influencia de grosez en propiedaes de GaN buffer capa y fuertemente Si-dopó GaN crecíu por metalorganic vapor-fase epitaxy^[36]
La dependencia d'índiz de crecedera de GaN buffer capa enriba parámetros de crecedera por metalorganic vapor-fase epitaxy^[37]
Self-Organización del InGaAs/GaAs puntos cuánticos superlattice^[38]
Thermoluminescence De CdS grupos en zeolita-Y^[39]

Referencies

↑ Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.
↑ ^2,0 ^2,1 Guo, Kemi (1998).
↑ ^3,0 ^3,1 ^3,2 He, Panguo (2014). Biography of Lanying Lin. Scientific Press. ISBN 9787030401250.
↑ "Lanying Lin".
↑ "Fukien Christian University".
↑ Chen, Chen (1996).
↑ Lin, Lanying (1992).
↑ Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01).
↑ Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01).
↑ Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26).
↑ Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tau, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01).
↑ Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15).
↑ Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15).
↑ Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13).
↑ Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29).
↑ Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01).
↑ Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films".
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↑ Lin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions".
↑ Zhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tau, F. (1992-04-02).
↑ Wang, Z.G.; Li, C.J.; Wan, S.K.; Lin, L.Y. "Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment".
↑ Zhiyuan, Dong; Youwen, Zhao; Yiping, Zeng; Manlong, Duan; Wenrong, Sun; Jinghua, Jiao; Lanying, Lin (2003-11-01).
↑ Chen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01).
↑ Tan, Liwen; Wang, Qiyuan; Wang, Jun; Yu, Yuanhuan; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2003-01-01).
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↑ Zhao, Youwen; Sun, Niefeng; Dong, Hongwei; Jiao, Jinghua; Zhao, Jianqun; Sun, Tongnian; Lin, Lanying (2002-04-30).
↑ Tan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01).
↑ Chen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01).
↑ Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15).
↑ Lu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01).
↑ Lanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs".
↑ Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; El so, Mianzeng (1998-01-01).
↑ Renyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin.
↑ Chen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01).
↑ Lei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin.
↑ Liu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15).
↑ Liu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15).
↑ Zhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01).
↑ Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1 de marzu de 1997). «Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y». Journal of Luminescence 71 (2): páxs. 151–156. doi:10.1016/S0022-2313(96)00129-9. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231396001299.

Enllaces esternos

[:0-1] Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.

[:1-2] 2,0 ^2,1 Guo, Kemi (1998).

[:2-3] 3,0 ^3,1 ^3,2 He, Panguo (2014). Biography of Lanying Lin. Scientific Press. ISBN 9787030401250.

[4] "Lanying Lin".

[5] "Fukien Christian University".

[6] Chen, Chen (1996).

[7] Lin, Lanying (1992).

[8] Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01).

[9] Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01).

[10] Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26).

[11] Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tau, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01).

[12] Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15).

[13] Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15).

[14] Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13).

[15] Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29).

[16] Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01).

[17] Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films".

[18] Wang, Qi-Yuan; Ma, Zhen-Yu; Cai, Tian-Hai; Yu, Yuan-Huan; Lin, Lan-Ying (1999-01-01).

[19] Lin, L.Y.; Zhong, X.R.; Wang, Z.G.; Li, C.J.; Shi, Z.W.; Zhang, M. "Properties and applications of GaAs single crystal grown under microgravity conditions".

[20] Zhong, X. R.; Zhou, B. J.; Yan, Q. M.; Cao, F. N.; Li, C. J.; Lin, L. Y.; Ma, W. J.; Zheng, Y.; Tau, F. (1992-04-02).

[21] Wang, Z.G.; Li, C.J.; Wan, S.K.; Lin, L.Y. "Spatial distributions of impurities and defects in Te- and Si-doped GaAs grown in a reduced gravity environment".

[22] Zhiyuan, Dong; Youwen, Zhao; Yiping, Zeng; Manlong, Duan; Wenrong, Sun; Jinghua, Jiao; Lanying, Lin (2003-11-01).

[23] Chen, Wei; Xu, Yan; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1998-01-01).

[24] Tan, Liwen; Wang, Qiyuan; Wang, Jun; Yu, Yuanhuan; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2003-01-01).

[25] Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; Lin, Jianhua; El so, Mianzeng (1997-08-04).

[26] Zhao, Youwen; Sun, Niefeng; Dong, Hongwei; Jiao, Jinghua; Zhao, Jianqun; Sun, Tongnian; Lin, Lanying (2002-04-30).

[27] Tan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01).

[28] Chen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01).

[29] Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15).

[30] Lu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01).

[31] Lanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs".

[32] Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; El so, Mianzeng (1998-01-01).

[33] Renyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin.

[34] Chen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01).

[35] Lei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin.

[36] Liu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15).

[37] Liu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15).

[38] Zhuang, Qiandong; Li, Hanxuan; Pan, Liang; Li, Jinmin; Kong, Meiying; Lin, Lanying (1999-05-01).

[39] Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1 de marzu de 1997). «Thermoluminescence of CdS clusters in zeolite-Y». Journal of Luminescence 71 (2): páxs. 151–156. doi:10.1016/S0022-2313(96)00129-9. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231396001299.

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Lanying Lin

Opiniones sobre asuntos de xéneru[2]

Atribuciones y honores[3]

Actividaes polítiques[3]

Delles publicaciones[7]