MOSFET

Tranzistori me efekt-fushe metal-oksid-gjysmëpërçues ( MOSFET, MOS-FET, ose MOS FET ) është një lloj tranzistori me efekt fushe (FET), i prodhuar më së shpeshti nga oksidimi i kontrolluar i silicit . Ka një portë të izoluar, voltazhi i së cilës përcakton përçueshmërinë e pajisjes. Kjo aftësi për të ndryshuar përçueshmërinë me sasinë e tensionit të zbatuar mund të përdoret për amplifikimin ose ndërrimin e sinjaleve elektronike. Një tranzistor me efekt fushe metal-izolues-gjysmëpërçues (MISFET) është një term pothuajse sinonim me MOSFET. Një sinonim tjetër është IGFET për transistorin me efekt të fushës me portë të izoluar.

Parimi bazë i tranzistorit me efekt fushe u patentua për herë të parë nga Julius Edgar Lilienfeld në 1925.

Avantazhi kryesor i një tranzistori MOSFET është se ai nuk kërkon pothuajse asnjë rrymë hyrëse për të kontrolluar rrymën e ngarkesës, kur krahasohet me transistorët bipolarë (tranzistorë të kryqëzimit bipolar/BJT). Në një modalitet të përmirësuar MOSFET, voltazhi i zbatuar në terminalin e portës rrit përçueshmërinë e pajisjes. Në transistorët e modalitetit të varfërimit, voltazhi i zbatuar në portë zvogëlon përçueshmërinë.[1]

Emri "metal" në shkurtesën MOSFET ndonjëherë është një emërtim i gabuar, sepse materiali i portës mund të jetë një shtresë polisilici (silici polikristalor). Në mënyrë të ngjashme, "oksidi" në emër mund të jetë gjithashtu një emërtim i gabuar, pasi përdoren materiale të ndryshme dielektrike me qëllim të marrjes së kanaleve të forta me tensione më të vogla të zbatuara.

MOSFET është transistori më i zakonshëm në qarqet dixhitale, pasi miliarda mund të përfshihen në një çip memorie ose mikroprocesor. Meqenëse MOSFET-ët mund të bëhen me gjysmëpërçues të tipit p ose të tipit n, çiftet plotësuese të tranzistorëve MOS mund të përdoren për të krijuar qarqe kyçëse me konsum shumë të ulët të energjisë, në formën e logjikës CMOS .

Një prerje tërthore përmes një nMOSFET-i kur tensioni i portës V GS është nën pragun për krijimin e një kanali përcjellës; ka pak ose aspak përcjellje ndërmjet kullimit të terminaleve dhe burimit; çelësi është i fikur. Kur porta është më pozitive, ajo tërheq elektrone, duke nxitur një kanal përçues të tipit n në nënshtresën poshtë oksidit (e verdhë), e cila lejon që elektronet të rrjedhin midis terminaleve të n -dopuara; çelësi është i ndezur.
Simulimi i formimit të kanalit të përmbysjes (dendësia e elektroneve) dhe arritja e pragut të voltazhit (IV) në një MOSFET me nanotel. Shënim: tensioni i pragut për këtë pajisje është rreth 0,45 V
  1. ^ cite_ref-depletion_1-0 "D‐MOSFET OPERATION AND BIASING" (PDF). Arkivuar (PDF) nga origjinali më 2022-10-22. {{cite web}}: Mungon ose është bosh parametri |language= (Ndihmë!)

Content Disclaimer

Informasi ini disarikan dari Wikipedia dan disajikan kembali untuk tujuan edukasi. Konten tersedia di bawah lisensi CC BY-SA 3.0. Kami tidak bertanggung jawab atas ketidakakuratan data yang bersumber dari kontribusi publik tersebut.

  1. The information displayed on this website is sourced in part or in whole from Wikipedia and has been adapted for the purpose of restating it. We strive to provide accurate and relevant information, however:
  2. There is no guarantee of absolute accuracy. Wikipedia is an open, collaborative project that can be edited by anyone, so information is subject to change.
  3. It is not intended to constitute professional advice. The content displayed is for informational and educational purposes only. For important decisions (e.g., medical, legal, or financial), please consult a professional.
  4. Content copyright. Wikipedia is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike License (CC BY-SA). This means that content may be reused with appropriate attribution and shared under a similar license.
  5. Responsible use. Any risk arising from the use of information from this website is entirely the responsibility of the user.